گیگابایت را فراموش کنید ، حافظه های ترابایتی برای تلفن های همراه در راه است !

6 دیدگاه ارسال شده توسط: عرفان باستانی 05 مرداد 1393 ساعت 19:47

اسمارت فون های امروزی با حافظه های داخلی گیگابایتی و قابلیت ارتقاء از طریق درگاه هایی نظیر میکرو اس دی ، بین 4 تا 128 گیگابایت هستند.اما ظاهرا قرار است گیگابایت جای خود را به مگابایت امروزی بدهد!

اکنون محققان دانشگاه Rice موفق به تولید نوعی حافظه موسوم به resistive RAM یا (RRAM) شده اند که توسط تجهیزات معمولی و در دمای اتاق ساخته شده است.

در این حافظه از اکسید سیلیکون متخلخلی استفاده می شود که فضای خالی آن با فلزاتی مثل طلا و پلاتینیوم پر شده است. این امر نه تنها به تولید کنندگان، یک ماده اولیه آشنا را معرفی می کند بلکه سبب می شود حافظه ساخته شده مصرف انرژی کمتری هم داشته باشد. همچنین این RRAM ها نسبت به نمونه های قبلی خود متراکم تر هستند و می توانند در هر سلول خود تا 9 بیت اطلاعات ذخیره کنند در حالی که در حافظه های فلش کنونی این مقدار 3 بیت است. این حافظه ها طول عمری 100 برابر بیشتر از نمونه های کنونی دارند و در برابر گرما هم مقاوم هستند.

نتایج این تحقیقات ممکن است منجر به دست یابی به یک درایو با ظرفیت عالی و طول عمر زیاد – مانند SSD ها – شود. شرکت Crossbar که این تحقیقات به سفارش او انجام می شود ادعا کرده است که این حافظه ها می توانند 1TB اطلاعات را در حجمی به اندازه یک تمبر پستی ذخیره کنند.

به نظر می رسد این حافظه ها برای دستگاه های قابل حمل مانند گوشی های هوشمند و تبلت ها بسیار ایده آل و مناسب باشند و این بدین معنی است که این دستگاه ها برای مدت بسیار بسیار طولانی نگرانی از بابت کمبود فضای ذخیره سازی نخواهند داشت.

سرپرست این تحقیقات James Tour از قرارداد ساخت این حافظه ها با یک شرکت تولید کننده خبر داده است. نام این شرکت هنوز منتشر نشده است ولی بعید به نظر نمی رسد که این حافظه های با ظرفیت فوق العاده به صورت انبوه تولید و عرضه شوند.

منبع: Engadget

Future phones could house a terabyte of memory

You may think that the 3GB of memory in your new smartphone is hot stuff, but that pales in comparison with what Rice University has in store. Its scientists have detailed a form of resistive RAM (RRAM) that can be made using regular equipment at room temperatures, making it practical for everyday gadgets. The trick is the use of porous silicon oxide where metals (such as gold or platinum) fill the gaps. Using the silicon material doesn’t just give manufacturers something familiar to work with; it requires much less power than previous techniques, can last through 100 times as many uses and isn’t fazed by heat. It’s also far denser than earlier RRAM, storing nine bits per cell where even conventional flash storage stops at three. The result should be an easy-to-make RAM chip with the kind of capacity that you’d normally expect from much larger permanent storage, like an SSD — as the company Crossbar hinted when it first discussed this approach, you could stuff 1TB into a component the size of a postage stamp. That’s just about ideal for mobile devices, and could mean that future phones and tablets won’t have to worry about low memory errors for a long, long time. Crossbar’s technology is due in later this year in chips destined for embedded uses like appliances and cars, so the breakthrough won’t be noticeable at first. Research lead James Tour tells MIT that he expects a deal with an unnamed manufacturer in the next couple of weeks, though, so it’s entirely possible that this super-capacious memory will become commonplace.