Samsung 3D flash memory chip

امکان استفاده از حافظه داخلی ۳۴۸ گیگابایتی در گجت های آینده ، به لطف تکنولوژی جدید سامسونگ

شرکت سامسونگ این هفته اعلام کرد که آنها کار تولید انبوه حافظه های فلش ۳D Vertical NAND یا V-NAND برای قرارگرفتن در دستگاههای مختلف در سرتاسر دنیا را آغاز کرده اند (حافظه های فلش معمولی دارای ساختاری دو بعدی است). این فلش مموری جدید طی ۱۰ سال گذشته توسعه پیدا ...

متن کامل »