گجت نیوز آخرین اخبار تکنولوژی، علم و خودرو 
به لطف فرآیند تولید ترانزیستور جدید شرکت آی بی ام که در همکاری با سامسونگ و گلوبال فاندریز توسعه پیدا کرده می‌توان به راحتی چیپست‌هایی 5 نانومتری ساخت و 30 میلیارد ترانزیستور را در اندازه بند انگشت جای داد.
شرکت آی بی ام در همکاری با دو متحد دیگر خود در زمینه تولید چیپست، یک فرآیند تولید ترانزیستور جدید را توسعه داده است که با استفاده از آن می‌توان چیپست های 5 نانومتری ساخت. اگرچه این تیم مجددا از لیتوگرافی ماورای بنفش شدید که در ساخت چیپست های 7 نانومتری به کار می‌رود استفاده کرده است، اما توانسته با دور زدن اثر میدان باله حین طراحی ترانزیستور, پشته‌هایی از نانو صفحات سیلیکون را در آن جای دهد.
به لطف این تغییر می‌توان مدارهای فردی را به صورتی دقیق تنظیم کرد و بتوان با وجود قرار دادن تعداد بیشتری از آن‌ها کنار یکدیگر، عملکردشان را افزایش داد. به گفته این تیم متشکل از سه غول دنیای فناوری، به لطف ساختار 5 نانومتری چیپست می‌توان 30 میلیارد ترانزیستور را در یک چیپست به اندازه بند انگشت قرار داد. این یک پیشرفت خارق‌العاده است، چرا که در چیپست‌های 7 نانومتری که چند سالی از طراحی آن‌ها می‌گذرد می‌توان تا سقف 20 میلیارد ترانزیستور را جای داد.
به عقیده آی بی ام کاربرد این فرآیند تولید ترانزیستور جدید در پردازش شناختی، دنیای وسیع اینترنت اشیا و دیگر سیستم‌های درگیر با حجم زیادی از اطلاعات خواهد بود. همچنین می‌توان با در نظر گرفتن قدرت و ابعاد آن، تصویری جدید از آینده دنیای موبایل و دستگاه‌های هوشمند برای خود ترسیم کرد. به عنوان نمونه گوشی های موبایل آینده با وجود افزایش قدرت سخت افزاری، تا دو یا سه برابر مصرف باتری کمتری خواهند داشت. متاسفانه بیشتر گوشی‌سازان در حال حاضر تنها بر روی سرعت دستگاه‌ها متمرکز بوده و اهمیت زیادی به دوام باتری آن‌ها نمی‌دهند.
استفاده تجاری از فرآیند تولید ترانزیستور جدید
البته نباید انتظار داشت به لطف توسعه این روش به زودی شاهد دستگاه‌هایی قدرت گرفته از چیپست های 5 نانومتری باشیم. هنوز دستگاه‌های دارای چیپست های 7 نانومتری نیز به بازار راه پیدا نکرده‌اند و انتظار داریم تا رسیدن به سال 2018 نخستین نمونه‌های آن‌ها را مشاهده کنیم. به این ترتیب تا زمان ساخت دستگاه‌هایی مجهز به چیپست های جدید دارای ساختار متفاوت چند سالی زمان باقی مانده است.
همچنین بخوانید: