مشخصات اسنپدراگون 830 آشکار شد. فرآیند ساخت 10nm در این تراشه خودنمایی کرد. مدیاتک تنها کمپانی نخواهد بود که بر روی تراشه رده بالای خود (تراشه Helio X30) مشغول کار است. کمپانی کوالکام نیز بهسختی بر روی نسل بعدی تراشههای خود تمرکز کرده تا مطمئن شود که تراشه اسنپدراگون 830 نیز به یکی از ویژگیهای قدرتمند گوشیهای پرچمدار سال آینده بدل شود. شایعات بسیاری دربارهی مشخصات اسنپدراگون 830 به بیرون درز کرده و همچنان شایعات دربارهی این تراشه رده بالا در حال انتشار است.
بهتازگی یکی از کاربران شبکه اجتماعی ویبو که احتمالا یکی از کارکنان داخلی کوالکام باشد، تائید کرده که پردازنده Snapdragon 830 با فرآیند ساخت 10nm تولید خواهد شد و از سال آینده در پرچمداران بزرگ کمپانیهای مختلف استفاده میشود. احتمالا آخرین محصول کوالکام در اواخر امسال معرفی شود؛ اما ورود به بازار در سال آینده اتفاق افتد. بر اساس برخی از گزارشها، گوشی گلکسی اس 8 (Galaxy S8)، پرچمدار 2017 سامسونگ میتواند یکی از گوشیهای مجهز به این پردازنده باشد.
مشخصات اسنپدراگون 830 در فضای مجازی منتشر شد
شایعات منتشر شده قبلی نشان داده بودند که اسنپدراگون 830 کوالکام میتواند با فرآیند ساخت 10nm FinFET تولید شده و از معماری هستههای Kyro 200 برخوردار شود. پردازنده گرافیکی آدرنو 540 در کنار این تراشه قرار گرفته و با بهرهمندی از باند پایه X16 قابلیت دانلود تا 980 مگابیت بر ثانیه را دارد. از مموری LPDDR4X برخوردار شده و قادر است تا از ضبط ویدئویی 4K و 2K با 60 فریم بر ثانیه پشتیبانی کند. تمامی این قابلیتها در تراشهای به نام اسنپدراگون 830 بهنمایش درخواهد آمد.
از آنجا که تراشه Helio X30 مدیاتک نیز با فرآیند ساخت 10nm تولید خواهد شد، تا زمانی که هر دو تراشه زندگی واقعی خود را آغاز نکنند، معلوم نبوده که بهترین عملکرد به کدام محصول تعلق خواهد گرفت. با این همه گفته میشود که پردازنده اسنپدراگون 830 میتواند تا حدود زیادی مصرف برق در گوشیهای هوشمند را کاهش داده و از داغ شدن بیش از حد پردازنده جلوگیری کند.
فناوری جدید بهکار رفته در نسل جدید تراشههای کوالکام کارهای سبک را به هستههایی با سرعت پردازشی پائینتر واگذار کرده و محاسبات سنگین به هستههایی با سرعت کلاک بالاتر واگذار خواهد شد. این چنین است که هم از میزان مصرف شارژ باتری کاسته شده و هم میزان حرارت تولیدی به حداقل ممکن خواهد رسید.