احتمالا شایعات مربوط به عرضه گلکسی اس ۱۰ پلاس با ظرفیت داخلی یک ترابایت را شنیدهاید، خبر خوب این است که سامسونگ امروز به طور رسمی آن اطلاعات دربارهی پرچمدار ۲۰۱۹ خود را تایید کرده است.
صبح امروز این کمپانی کرهای به طور رسمی از اولین چیپست ذخیرهسازی eUFS با ظرفیت ۱ ترابایت در دنیای اسمارت فون ها رونمایی کرد. به زبان سادهتر این قطعه به تلفن های همراه هوشمند اجازه میدهد که از ظرفیت داخلی تا سقف یک ترابایت بهرهمند شوند. شایعات قبلی بیان میکردند که حداقل یک مدل از گلکسی اس 10 پلاس سامسونگ با ظرفیت داخلی فوقالعادهی یک ترابایتی عرضه میشود. همچنین این ظرفیت بالا قرار است با ۱۲ گیگابایت حافظه رم ترکیب شود که حالا رونمایی از این چیپست جدید توسط سامسونگ میتواند نویدبخش عرضهی یک غول سخت افزاری در دنیای فبلت های سری اس باشد.
گلکسی S10 Plus یک ترابایتی از چیپ eUFS سامسونگ برخوردار میشود
چیپست یک ترابایتی eUFS سامسونگ تنها چهار سال پس از آنکه این کمپانی اولین چیپست ۱۲۸ گیگابایتی eUFS خود را معرفی کرد عرضه میشود. سامسونگ اعلام کرده است که دارندگان اسمارت فون ها حالا می توانند از ظرفیت داخلی قابل مقایسه با کامپیوترهای نوت بوک برخوردار شوند؛ رویایی در سالهای نه چندان دور، کاملا دستنیافتنی به نظر میرسید.
طبق اعلام Cheol Choi، نایب رئیس اجرایی بخش فروش و بازاریابی کارت های حافظه سامسونگ، “این کمپانی متعهد شده است که زنجیره تامین قابل اعتماد و حجم تولید گستردهای را تضمین کند تا بتواند عرضه اسمارت فون های پرچمدار با فواصل کوتاه را پشتیبانی کند؛ آن هم در شرایطی که بازارهای جهانی موبایل رشد قابل توجهی را تجربه میکنند.” این گفتههای او میتواند تضمین کند که قطعا شاهد گلکسی اس ۱۰ پلاس با ظرفیت ۱ ترابایتی در آیندهی نزدیک خواهیم بود.
نکتهی جذاب اینجاست که چیپ eUFS یک ترابایتی سامسونگ دقیقا از ابعاد مدل ۵۱۲ گیگابایتی که در سال ۲۰۱۷ عرضه شده بود برخوردار است. این چیپ جدید ۱۶ لایه از حافظه فلش ۵۱۲ گیگابایتی V-NAND سامسونگ را به همراه یک کنترلر اختصاصی جدید با یکدیگر ترکیب میکند. برای اینکه قدرت این تراشهی جدید را درک کنید، جالب است بدانید که کاربران تلفن های همراه با استفاده از آن قادر به ذخیره ۲۶۰ کلیپ اولترا اچ دی ده دقیقهای با رزولوشن 4K بر روی آن خواهند بود.
این چیپست سرعت خواندن معادل ۱۰۰۰ مگابایت بر ثانیه را ارائه میدهد که تقریبا دو برابر متوسط سرعت خواندن در حافظههای SATA اس اس دی ۲.۵ اینچی رایج بازار است، سرعت خواندن اتفاقی نسبت به حافظههای فلش ۵۱۲ گیگابایتی از نوع eUFS به میزان ۳۶ درصد افزایش یافته و به ۵۸ هزار IOPS (واحد شمارش عملیات خروجی و ورودی در یک ثانیه) رسیده است. همچنین سرعت نوشتن اتفاقی نیز حالا ۵۰۰ برابر از یک کارتهای حافظه میکرو اس دی رایج بازار بیشتر شده و به ۵۰ هزار IOPS رسیده است. این ارقام فوق العاده اجازه میدهد تا کاربر از فیلمبرداری متوالی ۹۶۰ فریم بر ثانیه و حداکثر پتانسیل دوربین های چندگانه گوشی خود لذت ببرند.
البته قطعا تنها گلکسی اس ۱۰ پلاس به این چیپ حافظه مجهز نمیشود و بخش تولید حافظه سامسونگ این محصول را به دیگر کمپانیها نیز خواهد فروخت. بنابراین با وجود اینکه گلکسی اس 10 پلاس احتمالا اولین گوشی یک ترابایتی بازار در سال جاری است، می توانیم انتظار داشته باشیم که مدلهای یک ترابایتی دیگری نیز طی ماههای آینده معرفی شوند.