نانو فضاپیمای جدید ناسا

انتشار اطلاعاتی تازه از نانو فضاپیمای جدید ناسا با قابلیت خود ترمیمی

با تکنولوژی فعلی، 18 هزار سال طول خواهد کشید تا یک فضاپیما معمولی به نزدیکترین ستاره یعنی آلفا قنطورس (Alpha Centauri) برسد. ولی براساس محاسبات جدید، نانو فضاپیمایی سیلیکونی با سرعت یک پنجم نور، زمان سفر را به 20 سال کاهش می‌دهد. مشکل اصلی اینجاست که نانوفضاپیماها مقاومت کافی در برابر پرتوها و نوسانات دمای هوا را نداشته و نمی‌توانند در عمق تاریکی فضا دوام بیاورند. اما نانو فضاپیمای جدید ناسا (NASA) که در تعامل با محققین موسسه پیشرفته علم و فناوری کره (KAIST) توسعه داده شده، با توانایی خود ترمیمی این مشکل را برطرف کرده است.

در حال حاضر سه روش اصلی برای افزایش مقاومت یک تراشه در سفرهای بین ستاره‌ای وجود دارد: واضح‌ترین کار، اضافه کردن پوششی از فلز برای محافظت از تراشه در برابر امواج فضایی‌ست که در نتیجه آن، وزن تراشه افزایش و از آن سرعت آن کاسته می‌شود. راه دیگر این است که محققین خود مسیر حرکت تراشه در فضا را مشخص کنند. البته این موضوع هم مشکلات خاص خود همچون افزایش زمان سفر و حوادث غیر متقربه را دارد و نمی‌توان اعتماد چندانی به آن داشت.

نانو فضاپیمای جدید ناسا زمان سفر به ستاره قنطورس را از 18 هزار سال به 20 سال می‌رساند

روش سوم که در این مطالعه تمرکز اصلی روی آن قرار داده شده است به طراحی مداری با توانایی دفع تابش‌های فضایی مربوط می‌شود. برای ساخت نانو فضاپیمایی با این قابلیت، مهندسین به جای استفاده از فناوری ساخت FinFET از فناوری ساخت GAA FET -که توسط محققین KAIST توسعه داده شده- بهره‌ برده‌اند. درواقع در این مدارها، دریچه‌ای اطرف ترانزیستورهای نانوسیم قرار گرفته و جریان الکترون‌ها به بخش داخلی را کنترل می‌کند. در این حالت صفحات داخلی دوگانه، مجوز ورود الکترون‌ها به داخل را صادر کرده و کانالی که آن را احاطه می‌کند، دما را در کمتر از 10 نانوثانیه به 900 درجه سلسیوس رسانده و اثرات مخرب تابش‌های فضایی را از بین می‌برد.

تاکنون این سیستم گرمایشی و توانایی خود ترمیمی آن روی سه مورد از اجزای حیاتی نانو فضایپماها یعنی ریز پردازنده، حافظه flash و حافظه DRAM آزمایش شده و مقاومت کافی در برابر نواقص ناشی از تابش‌های خورشیدی را دارد. به‌گفته ناسا، امکان تعمیر یک فلش مموری تا 10 هزار بار و یک حافظه DRAM تا 10 به توان 12 مرتبه وجود دارد.

در نهایت به‌لطف وجود فناوری ساخت پیشرفته GAA FET و مقاومت تراشه‌ها در برابر اشعه‌های کیهانی، امکان انجام سفرهای طولانی برای نانو فضاپیمای جدید ناسا وجود خواهد داشت.