سامسونگ موفق به توسعه حافظه های HBM3E 12H شد

سامسونگ از توسعه حافظه های HBM3E 12H به‌عنوان اولین حافظه DRAM 12 لایه‌ای HBM3E در صنعت خبر داد. در ادامه با ویژگی‌های این حافظه سامسونگ آشنا می‌شویم.

سامسونگ که به‌عنوان رهبر بخش حافظه‌های پیشرفته جهان محسوب می‌شود از توسعه حافظه های HBM3E 12H خبر داد. این محصول که توانسته لقب اولین DRAM 12 لایه‌ای HBM3E در صنعت را از آن خود کند، دارای بالاترین ظرفیت در بین حافظه‌های پهنای باند بالا یا HBM (High Bandwidth Memory) است.

ویژگی‌های حافظه های HBM3E 12H

حافظه HBM3E 12H از بالاترین پهنای باند یعنی  1280 گیگابایت بر ثانیه (GB/s) و همچنین بالاترین ظرفیت حافظه HBM یعنی 36 گیگابایت (GB) بهره می‌برد که در هر دو بخش پهنای باند و ظرفیت نسبت به حافظه‌های 8 لایه‌ای HBM3 بیش از 50 درصد ارتقا پیدا کرده است.

یونگ چئول‌ بائه، معاون اجرایی بخش برنامه‌ریزی حافظه‌ها در شرکت سامسونگ در این خصوص عنوان کرد ارائه‌دهندگان خدمات هوش مصنوعی در صنعت به‌شدت به حافظه‌های مدل HBM با ظرفیت بالاتر نیاز دارند و در همین راستا سامسونگ نیز حافظه HBM3E 12H را برای پاسخ به نیاز این شرکت‌ها توسعه داده است. این حافظه‌ها به‌عنوان یک راهکار جدید برای توسعه حافظه‌های HBM با لایه‌های زیاد محسوب می‌شوند و با کمک آنها می‌توان در عصر هوش مصنوعی در بازار حافظه‌های ظرفیت بالای HBM به یک شرکت پیشرو تبدیل شد.

حافظه‌های HBM به‌شکل مکعب یا مکعب مستطیل طراحی می‌شوند و در آنها چندین لایه تراشه حافظه روی هم قرار گرفته تا یک توده مکعبی را به‌وجود آورد. حافظه‌های HBM3E 12H دارای لایه‌ای نارسانا، فشرده‌ساز و حرارتی پیشرفته به‌نام TC NCF بوده و به همین دلیل ارتفاع آنها نیز مشابه مدل‌های 8 لایه است. همین طراحی باعث شده تا با شرایط مورد نیاز توده‌های حافظه‌های HBM نیز سازگار باشند.

این محصول مزایای بیشتری به‌خصوص با افزایش تعداد لایه‌ها به‌همراه خواهد داشت؛ چرا که صنعت هم‌اکنون قصد دارد میزان انحراف آنها یا تغییر حالت تراشه‌ها را کاهش دهد. در همین راستا سامسونگ همواره کاهش ضخامت مواد NCF را در دستور کار خود قرار داده و اکنون توانسته کوچک‌ترین فاصله میان تراشه‌ها در صنعت یعنی 7 میکرومتر (µm) را در این محصول به‌وجود آورد. همچنین فضاهای خالی میان لایه‌ها نیز حذف شده است. این اقدامات سامسونگ باعث شده تا تراکم عمودی HBM3E 12H نسبت به حافظه‌های HBM3 8H بیش از 20 درصد افزایش پیدا کند.

سامسونگ در طراحی این محصول از فناوری پیشرفته TC NCF استفاده کرده و توانسته عملکرد خنک‌سازی حافظه HBM را با حفظ ابعاد به میزان زیادی ارتقا دهد. سامسونگ برای تحقق این هدف تعداد زیادی برجستگی و برآمدگی را با ابعاد مختلف در نقاط اتصال بین تراشه‌ها را ایجاد کرده است. در واقع طراحان برآمدگی‌های کوچکی را در نقاط اتصال ویژه انتقال سیگنال و برآمدگی‌های بزرگتری در نقاط ویژه دفع گرما ایجاد کردند. ضمن این‌که این روش جدید اتصالات باعث افزایش بازدهی محصول نیز خواهد شد.

کاربردهای هوش مصنوعی با سرعت زیادی در حال رشد بوده و در همین راستا HBM3E 12H برای سیستم‌های آینده که نیازمند حافظه بیشتری هستند، یک راهکار ایده‌آل خواهد بود. مشتریان با عملکرد و ظرفیت بالای این حافظه‌های سامسونگ می‌توانند منابع خود را با انعطاف‌پذیری بیشتری مدیریت کنند و باعث کاهش هزینه کل مالکیت (TCO) برای مراکز داده شوند.

پیش‌بینی‌ها حاکی از آن است که در صورت استفاده از حافظه‌های HBM3E 12H در هوش مصنوعی، سرعت متوسط آموزش هوش مصنوعی نسبت با HBM3 8H تا 34 درصد افزایش پیدا خواهد کرد و تعداد کاربرانی که به‌شکل همزمان از خدمات استنباطی (خدماتی مبتنی بر مدل‌های هوش مصنوعی برای استنباط و نتیجه‌گیری نظیر سیستم‌های تشخیص چهره) استفاده می‌کنند نیز به بیش از 11.5 برابر افزایش خواهد یافت.

تولید مدل‌های اولیه HBM3E 12H برای مشتریان شروع شده و سامسونگ تولید انبوه آن را نیز در نیمه اول 2024 آغاز خواهد کرد.